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新品发布;蔡司Gemini扫描电子显微镜再次进化升级

发布时间:2021-06-25 09:02:34作者:来源:点击:

 蔡司与仪器信息网近日召开线上新品发布会——蔡司新一代场发射扫描电子显微镜产品发布会,共同解密新一代Gemini系列场发射扫描电子显微镜的“高分辨率”。

自 1993 年蔡司将第一台商用 FESEM-DSM-982 投放市场以来,Gemini 电子光学系统已成为高分辨率和广泛样品适用性的代名词。这28年,无论是之前的Supra、Ultra、Merlin,还是后来的Sigma、Gemini,无数用户称赞蔡司SEM处理高难度样品的能力。如今,扫描电子显微镜已成为材料科学、微电子、冶金、地质等学科不可或缺的表征手段。从金属到聚合物,从结构件到纳米粒子,从微电子到含油矿石,从永磁材料到软磁材料……各大高校和科研院所的电子显微镜实验室每天都面临着各种类型的样品,对表征结果的要求越来越高。这就要求扫描电子显微镜不仅要有分辨率,而且在面对不导电、不耐辐射、凹凸不平、有磁性的困难样品时,也能获得高质量的成像结果。
经典传承永垂不朽。 2021年,蔡司Gemini扫描电子显微镜再次进化升级,Gemini电子光学系统也衍生出更多适用于不同应用场景的机型。蔡司双子座电子显微镜有哪些特点?
新一代双子座电子显微镜有哪些激动人心的更新?会给你的工作带来什么样的帮助? GeminiSEM 家族
满足您对亚纳米成像、分析和样品灵活性的高要求
Zeiss GeminiSEM 代表亚纳米分辨率的轻松成像。将其用于材料和生命科学领域要求严苛的项目。电子光学和新腔室设计的创新使您能够从更好的图像质量、可用性和灵活性中受益。结合卓越的成像和分析。在没有浸没镜头的情况下拍摄低于 1kV 的亚纳米图像。探索 Gemini 电子光学的三种独特设计。了解 GeminiSEM 系列如何满足您的所有成像和分析需求。
核心设施的理想选择——蔡司 GeminiSEM 360 及其 Gemini1 电子光学柱可为广泛的应用和样品类型提供高分辨率成像和分析。
实现高效分析——蔡司 GeminiSEM 460 及其 Gemini2 色谱柱可以满足分析显微镜中的挑战性任务。在较宽的探头电流范围内,成像和分析条件
之间无缝切换。
表面成像新标准——蔡司GeminiSEM 560、Gemini 3及其全新电子光学引擎Smart Autopilot的推出。它可以在所有工作条件下为家庭提供中高
解析度。
你-我想知道的基本原理
场发射扫描电镜专为高分辨率成像而设计。
场发射扫描电镜性能的关键在于其电子光学柱。 Gemini 专为在任何样品上提供出色的分辨率,特别是在低加速电压下,可实现完整高效
检测到且易于使用。
Gemini 光学具有三个主要组成部分:
Gemini 物镜设计结合了静电场和磁场,以最大限度地提高光学性能,同时最大限度地减少样品中场的影响。这即使在磁性材料等具有挑战性的样品上也能实现出色的成像。
Gemini 光束增强器技术是一种集成光束减速技术,确保了小探头尺寸和高信噪比。
Gemini lnlens 检测概念通过平行检测二次 (SE) 和背向散射 (BSE) 电子确保有效的信号检测,从而最大限度地减少成像时间。让您的应用受益于:
SEM 对准的长期稳定性以及它轻松调整所有系统参数(例如探针电流和加速电压)的方式。借助非近磁场光学元件,实现无畸变的高分辨率成像。
使用 Inlens SE 检测器仅从样品的 * 顶层获取信息,从而从真正的表面敏感 SE1 电子生成图像。使用 Inlens EsB 检测器的检测概念,可以在非常低的电压下获得真实的材料对比度。
任何样品的完整表征都需要成像和分析性能。此外,今天的用户希望仪器易于设置和操作。 Gemini 2 光学器件满足这些需求:
GeminiSEM 460 Gemini2 光学元件配备双聚光镜,可连续调节束流,同时保持光斑尺寸优化
您可以通过在高分辨率成像(低束流)和分析模式(高束流)之间无缝切换来节省时间和精力,因为更改成像参数后无需重新对准束流
保持灵活性:在低束流和高束流下使用最高束流密度进行高分辨率成像和分析,无论您选择何种束流能量,您的样品都不会暴露在磁场中:在大视场中实现畸变- 无 EBSD 图案和高分辨率成像
在不影响电子光学性能的情况下倾斜样品。轻松成像甚至磁性样品
选择适合您样品的电荷减少模式:局部电荷补偿、腔内可变压力或 NanoVP
Gemini 3 光学器件针对低电压和极低电压分辨率以及对比度增强进行了优化。它们确保在1kV到30kV的所有工作条件下的最大分辨率,并由两个协作部件组成:纳米双镜头和智能自动驾驶仪,一种新型电子光学引擎。其他技术特点是高枪分辨率模式和可选的系列减速。
Nano双镜头提供:
低电压和超低电压下的亚纳米分辨率,具有出色的信号检测效率
与标准 Gemini 物镜相比,低电压下的透镜像差降低了三倍,从而使样品上的磁场降低了三倍,大约为 1 mT。优化的几何形状以及静电和磁场分布
低电压成像条件下增强的 Inlens 探测器信号
这些功能提供了在 1 kV 以下执行亚纳米成像的能力,而无需将样品浸入电磁场中。
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